1）高频段：产品频段6GHz~40GHz，填补小型化毫米波频段空白； 2）高功率：采用硅腔体结构，已实测结果:X、Ku频段: 50W；Ka频 段：20W； 3）低损耗：实测典型值0.4dB~0.5dB； 4）屏蔽性：采用硅腔体封装结构，环境适应性好； 5）一致性好：MEMS高精度加工，批量一致性好； 6）其他：具有抗干扰能力强、机械特性优良等特点。

1）高频段：产品频段6GHz~40GHz，填补小型化毫米波频段空白； 2）高功率：采用硅腔体结构，已实测结果:X、Ku频段: 50W；Ka频 段：20W； 3）低损耗：实测典型值0.4dB~0.5dB； 4）屏蔽性：采用硅腔体封装结构，环境适应性好； 5）一致性好：MEMS高精度加工，批量一致性好； 6）其他：具有抗干扰能力强、机械特性优良等特点。